Kingston

Технические характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1333 МГц Пропускная способность 10600 Мб/с Объем 1 модуль 16 Гб Поддержка ECC есть Буферизованная (Registered) да Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latenc..

31199, Оперативная память Kingston KVR1333D3D4R9S/4G, KVR1333D3D4R9S/4G, 3525Р, 31199, Kingston, Оперативная память..

Оперативная память Kingston KVR1333D3D4R9S/8GHB Объем модуля     8GB Тип памяти DDR3 Registered Частота функционирования     1333 МГц Латентность CL9 Ранги     2Rx Напряжение питания 1.5 В..

Оперативная память Kingston KVR1333D3LD4R9S/16G Объем модуля 16 Гб Тип памяти DDR3 RDIMM Частота работы     1333 МГц Тайминги 9-9-9 Напряжение питания 1.35 В (LV DDR3), 1.5 В (DDR3)..

Оперативная память Kingston KVR13LE9/8 Объем модуля     8 Гб Тип памяти DDR3 Unbuffered ECC Частота работы 1333 МГц Латентность CL9 Тайминги 9-9-9 Напряжение питания 1.35 В (LV DDR3), 1.5 В..

Модуль памяти Kingston ValueRAM DDR3 ECC DIMM 8 Гб PC3-12800 KVR16E11/8I Объем модуля памяти     8 Гб Тип памяти DDR3 ECC Частота функционирования до 1600 МГц Стандарт памяти     PC3-12800 (DDR3 1600 МГц) Memory rank Dual rank Тайминги 11-11-11 Напря..

Оперативная память Kingston KVR16LE11L/8 Объем модуля 8 Гб Тип памяти DDR3 Unbuffered с поддержкой ECC Частота работы 1600 МГц Ранги Dual rank Тайминги 11-11-11 Форм фактор VLP (very low profile) Напряжение питания 1.35 В (LV DDR3), 1.5 В (DDR3)..

Технические характеристики Тип памяти DDR3L Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Объем 4 модуля по 16 Гб Поддержка ECC есть Буферизованная (Registered) да Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS La..

Технические характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency..

Оперативная память Kingston KVR16R11S4/8I Объем модуля 8 Гб Тип модуля DDR3 Registered Частота работы 1600 МГц Ранги Single rank Тайминги 11-11-11 Напряжение питания 1.5 В..

Оперативная память Kingston KVR21R15S4/8 Объем модуля     8 Гб Тип памяти     Registered DDR4 Частота функционирования до 2133 МГц Стандарт памяти     PC4-17000 (DDR4 2133 МГц) Латентность     CL15 Ранги Single rank Напряжение питания 1.2 В..

Оперативная память Kingston DDR4 32GB 2400MHz DDR4 ECC CL17 LRDIMM 4Rx4 Объем модуля 32 Гб Тип памяти DDR4 LRDIMM Частота работы 2400 Mhz Латентность CL17 Напряжение питания     1.2 В..

модуль памяти DDR4 объем модуля 64 Гб форм-фактор LRDIMM, 288-контактный частота 2400 МГц поддержка ECC CAS Latency (CL): 17 Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL) 17 RAS to CAS Delay (tRCD) 17 Row Precharge Delay (tRP) 17 Количество чипо..

Оперативная память Kingston KVR24R17D4/16 Объем модуля 16 Гб Тип памяти Registered DDR4 Частота функционирования до 2400 МГц Стандарт памяти     PC4-19200 (DDR4 2400 МГц) Пропускная способность памяти 19200 Мб/сек Латентность CL17 Тайминги 17-17-17 Н..

Модуль памяти Kingston ValueRAM FB FB-DIMM 4 Гб PC2-5300 Объем модуля     4 GB Тип памяти DDR2 FBDIMM Частота работы     667 Mhz Тайминги 5-5-5 Напряжение 1.8 В..

Оперативная память Kingston KVR800D2N6/2G..

Оперативная память Kingston ValueRAM DDR3, KVR13LR9S4L/8 Линейка Value RAM Основные характеристики Стандарт DDR3 Форм-фактор DIMM Объем одного модуля 8 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Суммарный объем 8 ГБ Эффективная частота 1333 МГц Пропускн..

Оперативная память Kingston ValueRAM KVR18R13S4/8 Объем модуля памяти 8 Гб Количество модулей в комплекте1 Тип оборудования Модуль памяти Registered DDR3 Частота функционирования до 1866 МГц Стандарт памяти PC3-15000 (DDR3 1866 МГц) Пропускная способ..

Модуль памяти произведен с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует его универсальность и надежность. Модель относится к классу DDR4, обладает емкостью 16 ГБ и 288-контактным модулем DIMM. Предельная частота работы устройств..

Технические характеристики Тип памяти DDR3L Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Объем 1 модуль 8 Гб Поддержка ECC есть Буферизованная (Registered) да Низкопрофильная (Low Profile) да CAS Latency..

Оперативная память Micron 8GB MT36HTF51272PY-667E1   ..